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SD8800 全温度补偿和超小封装的实时时钟芯片

概述:
SD8800 是一种具有标准 IIC 接口的实时时钟芯片,CPU 可使用该接口通过七位地址寻址来读写片内寄存器的数据。
SD8800 具有一个后备电池输入脚 VBAT,内部的充电电路可对外接的充电电池进行智能充电,也可对电池电量进行检测和欠压报警指示。
SD8800 内置时间更新/倒计时/报警中断/事件捕获功能。SD8800 每一颗芯片具有唯一的 8 字节的身份识别码(ID)。SD8800 管脚兼容 8900。
特性:
低功耗:0.6μA 典型值(Ta=25℃)
工作电压:2.5V~5.5V,工作温度:-40℃~125℃
标准IIC总线接口方式,最高速度400kHz(4.5V~5.5V)。
年、月、日、星期、时、分、秒的 BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
闰年自动调整功能(2000年~2099年)。
内置星期/日期、时、分共3字节的报警数据寄存器。
周期性频率中断输出:32768Hz、1024Hz和1Hz共三种方波。
自动重置的12位的倒计时定时器,可选的 4 种时钟源(4096Hz、1024Hz、1 秒、1 分 钟),最小定时为 244us,最长定时为68个小时,通过计算可获得较精确的毫秒级定时值。
时间更新中断具有分钟中断与秒中断两种功能。
时间报警中断、倒计时中断、时间更新中断、事件捕获中断可通过寄存器配置选择是否从INT脚输出报警信号,四种中断各具有一个中断标志位。
FCTR端口输入决定频率中断端口FREQ是否输出,FREQ端口可通过寄存器配置选择不同频率的方波。
具有一次性或充电的后备电池输入脚VBAT,其内部的稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电。
内置电池电压检测功能,可读取当前电池电压值;可读取寄存器了解是否发生过欠压或 超压的情况。
内置数字校准功能,进一步提高计时精度。
内置通信校验功能,进一步提高通信的可靠性。
内置1/1024秒寄存器,读取时间能够精确到1/1024秒。
内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从start命令开始计时),该功能可以避免IIC总线挂死问题。
内置写保护功能,避免对数据的误写操作,可更好地保护数据。
内置上电指示和停振检测位RTCF,当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。
内置晶振和谐振电容,芯片内部通过高精度补偿方法,实现在宽温范围内高精度的计时功能:-40℃~+85℃精度<±5ppm、+85℃~+105℃<±10ppm、+105 ºC to +125 ºC<±20ppm(出厂精度)。
内置70字节通用SRAM 寄存器可用于存储用户的一般数据。
内置8字节的ID码,芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码。
芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。
芯片通过ESD HBM 4KV/CDM 1KV测试。
CMOS 工艺。
封装形式:3225(3.2mmx2.5mmx0.75mm)。
管脚设置:

管脚说明:
引脚 |
名称 |
功能 |
特征 |
1 |
FCTR |
FREQ端口输出使能控制,FCTR=0:禁止FREQ输出;FCTR=1:允许FREQ输出。 |
CMOS输入 |
2 |
VDD |
正电源脚 |
|
3 |
VBAT |
备用电池输入脚,内置稳压及充电电流可选的充电电路。 |
2.3V~3.6V,不用时应将其接VDD |
4 |
FREQ |
由FCTR控制的频率输出端口,详见1号引脚说明。 |
CMOS输出 |
5 |
SCL |
串行时钟输入脚,由于在SCL上升/下降沿处理信号,要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间,应严格遵守说明书。为了减少SCL上升沿时间,MCU与SCL连接的端口可设为CMOS输出,不要设置为开漏输出。 |
CMOS输入 |
6 |
NC |
没有与芯片内部连接 |
|
7 |
SDA |
串行数据输入/输出脚,此管脚通常用一电阻上拉至VDD,并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接。 |
开漏输出 |
8 |
PPS |
时钟同步与事件捕获的输入脚 |
CMOS输入 |
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