实时时钟模块SD2500系列 -深圳市兴威帆电子技术有限公司

实时时钟模块

产品分类

全温度补偿的高精度实时时钟-SD2500系列

内置晶振、电池、串行NVSRAM/EEPROM、70字节用户SRAM、电池电压检测、64位ID码

概述：

SD2500系列是一种具有内置晶振、支持IIC串行接口的高精度实时时钟芯片，CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、用户SRAM寄存器及ID码寄存器)。SD2500系列内置晶振,该芯片可保证在25℃下时钟精度小于±5ppm，即年误差小于2.6分钟；该系列芯片内置时钟精度温度补偿功能，实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、全电源环境补偿的高精度、高可靠计时功能。SD2500系列内置的一次性工业级电池或充电电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命为5～8年时间。SD2500系列采用了多种提高芯片可靠性的技术,可满足对实时时钟芯片的各种需要，是在选用高精度实时时钟时的理想选择。

主要性能特点：

>低功耗： 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V，Ta=25℃）。

>工作电压：2.7V～5.5V。

>标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V～5.5V)。

>年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。

>闰年自动调整功能(从2000年～2099年)。

>可选择12/24小时制式.

>内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器，共有96种组合报警方式，并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式，报警时间最长可设至100年。

>周期性频率中断输出:从4096Hz～1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲.

>自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源（4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟），最小定时为244us，最长定时可到31年，

通过计算可获得较精确的毫秒级定时值。

>五种中断均可选择从INT脚输出,并具有四个中断标志位.

>内置76字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。

>具有可控的32768HZ方波输出脚F32K，可以位允许/禁止32K输出。

>内置8bit转换结果的数字温度传感器，为了节省电池电量消耗，设为VDD模式下60S间隔测温一次，电池模式600S间隔测温一次。

>内置晶振和谐振电容，芯片内部通过精度补偿方法，实现在宽温范围内高精度的计时功能，25℃精度<±5ppm。

>内置智能充电电路，其内部的3.3V稳压电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电，内置的充电限流电阻可位选2KΩ、5KΩ和10KΩ三种。

>内置电池电压检测功能，可读取当前电池电压值(三位有效数)，设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。

>芯片依据不同的电压自动从VDD切换到电池或从电池切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于电池电压，芯片会转为后备电池供电；当VDD大于电池电压或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。（内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF=0，VBAT

模式时PMF=1）

>在VBAT模式下，芯片具有中断输出允许或禁止的功能,可满足在备用电池供电时输出中断的需要。

>内置的充电电池及充电电路，在电池满充时可保证内部时钟走时超过半年，累计电池电量超过550mAh,电池使用寿命为5～8年时间；内置的

一次性民用级电池使用寿命为3～5年，一次性工业级电池使用寿命为5～8年时间。

>内置的16kbit～256kbit非易失性SRAM（C/D/E型）,其读写次数为100亿次，且内部写延时小于300ns。

>内置的2kbit～256kbitE2PROM（F/B/C/D/E型）,其擦写次数100万次。

>内置8字节的ID码（OTP型），芯片出厂之前设定，全球唯一的身份识别码。

>内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时)，该功能可以避免IIC总线挂死问题。

>内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作，可更好地保护数据。

>内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能（BATIIC=0，VBAT模式下禁止IIC通信；BATIIC=1，VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值 BATIIC=0)，从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量，也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作，进一步提高芯片的可靠性。

>内置上电指示位RTCF，当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。

>内置电池电压欠压指示位BLF，当电池电压低于2.2V时BLF位置1。

>内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。　

>芯片管脚抗静电(ESD)>2KV。

>芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。

型号列表:

型号	晶振	电池类别	NVSRAM	EEPROM	SRAM	ID码	温度补偿	封装形式
SD2500A/C/D/EP	√	一次性	√		√	√	√	DIP24
SD2500F/B/C/D/ELP	√	一次性		√	√	√	√	DIP24
SD2501A/C/D/EP	√	充电	√		√	√	√	DIP24
SD2501F/B/C/D/ELP	√	充电		√	√	√	√	DIP24
SD2503API	√	-			√	√	√	DIP8
SD2505API	√	充电			√	√	√	DIP16
SD2506API	√	充电			√	√	√	DIP8
SD2507AP	√	一次性		-	√	√	√	DIP16
备注：1.后缀A/F/B/C/D/E：分别表示内置NVSRAM/EEPROM容量，分别为0/2/4/16/64/256Kbit。 2.各型号均有工业级，其尾缀加“I”以示区分;SD2507APA-A为温度范围为-40℃～+125℃车规级产品。