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高精度实时时钟完全解决方案-SD2200系列

内置电池、晶振、串行NVSRAM/EEPROM、I2C总线接口、定时中断输出、高精度、免调校


         SD2200系列是一种具有内置晶振、支持I2C总线接口的高精度实时时钟芯片。该系列芯片可保证时钟精度为±5ppm(在25±1℃下),即年误差小于2.5 分钟;该芯片内置时钟精度调整功能,可以在很宽的范围内校正时钟的频率偏差,能以最小分辨力1ppm来进行校正,通过与温度传感器的结合可以设定适应温度变化的调整值,实现在宽温范围内高精度的计时功能;内置电池、串行NVSRAM,其中内置一次性电池可在外部掉电情况下时钟使用寿在五年左右,内置串行NVSRAM为非易失性SRAM,擦写次数可达100亿次。该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要,是您在选用高精度实时时钟时的理想选择。

 

SD2200全系列性能特点:包括SD2200(A/B/C/D/E)/SD2202/SD2203/SD2204及SD2200L 

l           低功耗:典型值0.25μA (VDD=3.0V,Ta=25℃,  SD2200A)

l             工作电压:3.0V5.5V(其中NVSRAM4.5V5.5V作)

l       工作温度:民用级0℃~70℃,工业级-40℃~85℃。

l              内部时钟保持电压可低至0.5V

l              年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出

l              I2C总线CPU接口。

l              自动日历到2099年(包括闰年自动换算功能)。

l             可设定的两路闹钟(定时)及32768Hz1Hz的方波信号输出。

l           内置电源管理电路,当VDD3.0V时,内部电池不耗电。

l           内置时钟精度调整功能,最小分辨率可设为3.052ppm或者  1.017ppm  

l          内置的4kbit256kbit非易失性SRAMB/C/D/E型),其擦写次数100亿次,且内部写延时小于300ns  

l          如内置2kbit~256kbitE2PROMSD2200F/B/C/D/EL型),写入次数为一百万次,可低压至3.0V工作

l          内置晶振,出厂前已对时钟进行校准,保证精度±5ppm,即时钟年误差小于2.5分钟(在25±1℃下)

l  多种封装可供选择:

      24DIP:SD2200    8SIP:SD2202   8DIP:SD2203AP                 

 SD2200系列型号:

型号 功能 封装 资料下栽

(pdf格式)

一次性电池 晶振 充电电池 NVSRAM EEPROM 数字温度传感器

SD2200A/B/C/D/EP

P P   P     DIP24 SD2200RAM
SD2200F/B/C/D/ELP P P     P      DIP24 SD2200L 
SD2201A/B/C/D/EP   P P P      DIP24  SD2201RAM
SD2201F/B/C/D/ELP   P P   P    DIP24  
SD2202A/B/C/D/EP   P    P        SIP8       SD2202RAM
SD2203AP   P            DIP8       SD2203AP 
SD2204FLPI P P       P P  DIP24  SD2204FLP

备注:

1.后缀A/F/B/C/D/E:分别表示内置NVSRAM/E2PROM容量,分别为0/2/4/16/64/256Kbit

 2.各型号均有工业级,其尾缀加“I”以示区分

3.可申请免费样片。SD2200样品申请单

4.每种型号均有工业级芯片。

 

管脚图:

            

 

管脚功能表:

标号

功能

特征

VBAT

外加备用电池引脚

由于在模块内部有电池,故在其电池能量未耗尽之前不接

TEST

测试

内部电池电压检测脚(通常不接)

GND

负电源

 

SCL

串行时钟输入脚,由于在SCL上升/下降沿处理信号,要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间,应严格遵守说明书。

CMOS输入

SDA

串行数据输入/输出脚,此管脚通常用一电阻上拉至VDD,并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接.

N沟道开路输出

SCLT TMP串行时钟输入脚,由于在SCLT上升/下降沿处理信号,因此,要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间,应严格遵守说明书。 CMOS输入
SDAT TMP串行数据输入/输出脚,此管脚通常用一电阻上拉至VDD,并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过“或”方式连接。 N沟道开路输出
SCLE RAM/E2PROM串行时钟输入脚,由于是在SCLE时钟输入信号的上升边缘和下降边缘来进行。因此请注意上升和下降时间,并遵守技术规范。 CMOS输入
SDAE RAM/E2PROM串行数据输入/输出脚,此管脚通常用一电阻上拉至VDD,并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过“或”方式连接。 N沟道开路输出

INT1

报警中断1输出脚,根据中断寄存器与状态寄存器来设置其工作的模式,当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止

N-沟道开路输出

INT2

报警中断2输出脚,根据中断寄存器与状态寄存器来设置其工作的模式,当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止

N-沟道开路输出

VDD

正电源

 

 

资料下载:
附文1  通用评估板资料[2004/07/18](以下程序均可在评估板上运行)
附文2  SD2200A/B/C/D/E/F 51汇编程序[2004/07/28]功能:读时钟,显示时间
附文3  SD2200B/C 51汇编程序[2006/05/20]功能:读/写时钟,读/写EEPROM/SRAM
附文4  SD2200D/E 51汇编程序[2006/05/20]功能:读/写时钟,读/写EEPROM/SRAM
附文5  SD2200 C语言程序[2006/05/15]功能:读/写时钟
附文6  SD2200B/C C语言程序[2006/05/20]功能:读/写时钟,读/写EEPROM/SRAM
附文7  SD2200D/E C语言程序[2006/05/20]功能:读/写时钟,读/写EEPROM/SRAM
附文8  SD2204FLP 温补程序[2004/08/06]
附文9  SD2200应用注意事项[2006/05/20]
附文10  SD2200 vs SD2000
附文11 SD2200 vs SD2300