高精度实时时钟-SD2000系列

高精度实时时钟完全解决方案－SD2000全系列(已停产）

内置电池、晶振、串行NVSRAM/EEPROM、I2C总线接口、定时中断输出、高精度、免调校

SD2000全系列是一种具有内置晶振、支持I²C总线接口的高精度实时时钟芯片。该系列芯片可保证时钟精度为±5ppm，即年误差小于2.5 分钟；该芯片可内置电池、串行NVSRAM或EEPROM（SD2000L系列），其中内置一次性工业级电池可保证在外部掉电情况下时钟使用寿命超过五年，内置充电电池在一次充满情况下可保证内部时钟走时时间超过一年以上（可满充200次），内置串行NVSRAM为非易失性SRAM，擦写次数可达100亿次。该系列芯片可满足对实时时钟芯片的各种需要，是您在选用高精度实时时钟时的理想选择。

SD2000全系列性能特点：包括SD2000/SD2001/SD2002(A/B/C/D/E) 及SD2000L

l 低功耗：典型值1.0μA（VDD=3.5V,SD2000A）。

l工作电压：3.0～5.5V其中NVSRAM工作在4.5～5.5V,EEPROM工作在3.0～5.5V），工作温度:0℃～70℃或－40℃～85℃。 New Roman""> 宋体; mso-ascii-font-family: Times New Roman; mso-hansi-font-family: Times New Roman">（l 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出。

l 自动日历到2099年（包括闰年自动换算功能）。

l 可设定的两路闹钟（定时）及32768Hz至1Hz的方波信号输出。

l 内置稳压电路及电源掉电检测电路。

l 内置电源管理电路，当VDD≥3.0V时，内部电池不耗电。

l 内置充电电路（SD2001系列），总电量超过1.6Ah，保证时钟使用寿命超过5年。

l 如内置4kbit～256kbit的非易失性SRAM（SD2000 RAM型,B/C/D/E）,其写入次数100亿次，且没有内部写延时。

l 如内置2kbit~256kbit的E²PROM（SD200F/B/C/D/EL型），写入次数为一百万次，可低压至3.0V工作

l 出厂前已对时钟进行校准，保证精度±5ppm(在常温下)，即时钟年误差小于2.5分钟。

l 八脚单列封装SD2002系列可供选择。

SD2000全系列型号：

系列	型号	NVSRAM/EEPROM(Kbit)	参考报价	特点
标准型SD2000系列	SD2000A	0	￥19.00	内置一次性电池，在外部掉电情况下内部时钟走时时间为五年以上。内置RAM(除A型外) 24脚DIP封装形式
	SD2000B	4	￥25.00
	SD2000C	16	￥29.50
	SD2000D	64	￥34.00
	SD2000E	256	￥49.00
EEPROM型SD2000L系列	SD2000FL	2	￥19.80	内置一次性电池，在外部掉电情况下内部时钟走时时间为五年以上。内置EEPROM,工作电压可至3.0V 24脚DIP封装形式
	SD2000BL	4	￥20.80
	SD2000CL	16	￥21.80
	SD2000DL	64	￥22.80
	SD2000EL	256	￥27.00
充电型SD2001系列	SD2001A	0	￥25.00	内置充电电池，一次充满独立供电时间超过一年，可充满次数达200次。内置RAM(除A型外) 24脚DIP封装形式具有稳压输出
	SD2001B	4	￥31.00
	SD2001C	16	￥35.00
	SD2001D	64	￥40.00
	SD2001E	256	￥55.00
无电池型SD2002系列	SD2002A	0	￥16.00	无内置电池内置RAM(除A型外) 八脚单列封装形式体积小：23×7×12mm³
	SD2002B	4	￥22.00
	SD2002C	16	￥26.00
	SD2002D	64	￥31.00
	SD2002E	256	￥46.00

备注：

1.以上报价均为少于千片含税（17％增值税）价格，具体价格视数量和形式而定。

2.后缀A/F/B/C/D/E：分别表示内置NVSRAM/E²PROM容量，分别为0/2/4/16/64/256Kbit

3.各型号均有工业级，其尾缀加“I”以示区分

4.可申请免费样片。SD2000样品申请单

5.每种型号均有工业级芯片。

管脚图:

管脚功能表:

标号	功能	特征
VBAT	外加备用电池引脚	由于在模块内部有电池，故在其电池能量未耗尽之前不接
TEST	测试	内部电池电压检测脚（通常不接）
ON/OFF	打开/关闭SRAM，此管脚在接高电平为关闭SRAM，接低电平时打开SRAM。	此功能脚主要用来降低芯片整体功耗
GND	负电源
SCL	串行时钟输入脚，由于在SCL上升/下降沿处理信号，要特别注意SCL信号的上升/下降升降时间，应严格遵守说明书。	CMOS输入（与V_DD间无保护二极管
SDA	串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至V_DD，并与其它漏极开路或集电器开路输出的器件通过线与方式连接.	N沟道开路输出（与V_DD间无保护二极管）CMOS输入
INT1	报警中断1输出脚，根据中断寄存器与状态寄存器来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止	N-沟道开路输出（与V_DD端之间无保护二极管）
SDAE	SRAM串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至V_DD，通过线与方式与其它在I²C总线上的器件连接。	N沟道开路输出
SCLE	SRAM串行数据时钟脚。数据在此管脚的上升沿/下降沿按时序输入/输出。	CMOS输入
INT2	报警中断2输出脚，根据中断寄存器与状态寄存器来设置其工作的模式，当定时时间到达时输出低电平或时钟信号。它可通过重写状态寄存器来禁止	N-沟道开路输出（与V_DD端之间无保护二极管
VDD	正电源
VOUT	3.3V稳压输出脚，当VDD≥3.4V时有效	可供电流≤30mA，输出电压精度3.3±2％.
SDA/SDAE	实时时钟与串行SRAM的串行数据输入/输出脚，此管脚通常用一电阻上拉至VDD，通过线与方式与其它在I²C总线上的器件连接。	此管脚通过CPU所发送的指令来区别其功能。（仅SD2002系列具有）
SCL/SCLE	实时时钟与串行SRAM的串行数据时钟脚，数据在此管脚的上升沿/下降沿按时序输入/输出。	此管脚通过CPU所发送的指令来区别其功能。（仅SD2002系列具有）

资料下载:

SD2000RAM系列应用技术手册 [2003/06/10] SD2000 EEPROM系列应用技术手册[2003/03/28]

附文1 SD2000评估板原理图[2003/04/08](以下程序均可在评估板上运行)

附文2 SD2000全系列 51汇编程序[2003/04/28]功能:读时钟 SD2000 C语言读/写时钟

附文3 SD2000全系列 51汇编程序[2004/06/08]功能:读时钟,四种中断功能演示

附文4 SD2000B/C(SD2001B/C,SD2002B/C)51汇编程序[2003/04/28]功能:读/写时钟,读/写RAM

附文5 SD2000D/E(SD2001D/E,SD2002D/E)51汇编程序[2003/04/28]功能:读/写时钟,读/写RAM

附文6 SD2000 FL/BL/CL 51汇编程序[2003/04/28]功能:读/写时钟,读/写EEPROM

附文7 SD2000DL/EL 51汇编程序[2003/04/28]功能:读/写时钟,读/写EEPROM

附文8 SD2000应用中须注意的一些问题及问答集

附文9 SD2000电池欠压检测 51汇编程序[2003/05/23]

附文10 SD2000全系列芯片测试方法 (用户版) [2003/06/17]

附文11 SD2000样品及评估板申请单